(내외방송=박세정 기자) 삼성전자가 업계 최초로 12나노급 공정으로 16Gb(기가비트) DDR5 D램을 개발하고, AMD와 함께 호환성 검증을 마쳤다고 최근 밝혔다.
DDR5 D램은 기존 D램 속도를 획기적으로 끌어올린 DDR D램이 2001년 출시된 이후 다섯 번째 업그레이드된 기술 표준이다.
AMD는 중앙처리장치, 마이크로프로세서, 머더보드 칩셋, 휘발성 메모리 등을 제작하는 회사이다.
삼성전자는 24일 "유전율(K, 유전체가 외부 전기장에 반응해 만드는 편극의 크기를 나타내는 물질상수)이 높은 신소재 적용으로 전하를 저장하는 '커패시터(Capacitor)'의 용량을 높였다"며 "회로 특성 개선을 위한 혁신적인 설계 등을 통해 업계 최선단의 공정을 완성했다"고 말했다.
삼성전자는 또한 멀티레이어 EUV(Extreme Ultra-Violet) 기술을 활용해 업계 최고 수준의 집적도로 개발했다.
EUV란 반도체 제작에 중요한 과정인 포토 공정을 할 때 극자외선 파장의 광원을 사용하는 리소그래피 기술 및 제조 공정이다.
이번에 개발된 12나노급 D램은 이전 세대 제품 대비 생산성이 약 20% 향상됐다.
이번 제품은 DDR5 규격으로 최대 동작속도 7.2Gbps를 지원한다.
이는 1초에 30GB 용량의 UHD 영화 2편을 처리할 수 있는 속도이다.
특히 이 제품은 이전 세대보다 소비 전력이 약 23% 개선돼 기후 위기 극복에 동참하고 있는 IT 기업들에게 최상의 솔루션을 제공할 것으로 전망된다.
삼성전자는 "성능과 전력 효율 개선을 통해 12나노급 D램 라인업을 확대해 나갈 계획이다"며 "데이터센터·인공지능·차세대 컴퓨팅 등 다양한 응용처에 공급할 예정이다"고 말했다.
이어 "2023년부터 업계 최선단, 최고 성능의 12나노급 D램을 양산하며 글로벌 IT기업들과 협력해 차세대 D램 시장을 견인해 나갈 계획이다"고 덧붙였다.
이주영 삼성전자 메모리사업부 DRAM개발실장 부사장은 "이번 제품은 본격적인 DDR5 시장 확대의 기폭제가 될 것이다"며 "차별화된 공정 기술력을 통해 개발돼 뛰어난 성능과 높은 전력 효율로 고객에게 지속 가능한 경영 환경을 제공하는데 기여할 것이다"고 밝혔다.
조 매크리(Joe Macri) AMD CTO(최고기술책임자)는 "기술의 한계를 뛰어넘는 혁신을 위해서는 업계 파트너간 긴밀한 협력이 필요하다"며 "AMD의 젠(Zen) 플랫폼에서 DDR5를 검증하고 최적화하는데 삼성과 협력해 기쁘다"고 말했다.
